RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
45
Около -80% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.3
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.4
Скорость записи, Гб/сек
8.0
18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3731
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link