RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,784.6
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
65
Около -97% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
2945
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link