RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
65
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
2945
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link