RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
45
Около -80% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
14.5
Скорость записи, Гб/сек
8.0
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3377
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link