RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
45
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.6
Скорость записи, Гб/сек
8.0
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2893
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link