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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB

总分
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

总分
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Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB

Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB 需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB 需要考虑的原因
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 45
    左右 -67% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.6 left arrow 12.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.3 left arrow 8.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    45 left arrow 27
  • 读取速度，GB/s
    12.3 left arrow 16.6
  • 写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 12.3
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1992 left arrow 2893

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较

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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
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Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
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内存RAM
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
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G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
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Kingston 9905678-102.A00G 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
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内存RAM
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
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内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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