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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
104
左右 -316% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
25
读取速度,GB/s
3,192.0
15.1
写入速度,GB/s
2,404.5
10.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2310
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
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