RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
45
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.6
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.9
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
13.6
Скорость записи, Гб/сек
8.0
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2419
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
INTENSO M418039 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link