RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
45
Около -80% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.9
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
14.8
Скорость записи, Гб/сек
8.0
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2542
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link