RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.3
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
45
Около -10% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
41
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
8.9
Скорость записи, Гб/сек
8.0
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2126
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link