RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
72
Около 67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
4.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
72
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
9.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
4.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1438
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Crucial Technology BLS8G3D1609DS1S00. 8GB
Crucial Technology BLE8G3D1869DE1TX0. 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Elpida EBJ17RG4BBWD-GN-F 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link