RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
45
Около -73% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.0
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2382
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
InnoDisk Corporation 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kllisre D4 8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link