RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
99
Около 55% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.0
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.4
12.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
99
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
14.4
Скорость записи, Гб/сек
8.0
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
1386
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link