RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Kingston KWTHG4-MIE 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Kingston KWTHG4-MIE 16GB

Kingston KWTHG4-MIE 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Kingston KWTHG4-MIE 16GB Причины выбрать
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    35 left arrow 45
    Около -29% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    14.7 left arrow 12.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    11.1 left arrow 8.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 12800
    Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    45 left arrow 35
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.3 left arrow 14.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.0 left arrow 11.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1992 left arrow 2855

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB

Kingston KWTHG4-MIE 16GB Сравнения RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
модули RAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
модули RAM
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
модули RAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
модули RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
модули RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
модули RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
модули RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
модули RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
модули RAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
модули RAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
модули RAM
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
модули RAM