RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
45
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.8
Скорость записи, Гб/сек
8.0
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2962
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Inmos + 256MB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link