RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
56
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.7
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.9
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
56
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
18.7
Скорость записи, Гб/сек
8.0
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2235
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link