RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
45
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.9
Скорость записи, Гб/сек
8.0
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3095
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link