RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
45
Intorno -88% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
24
Velocità di lettura, GB/s
12.3
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
3095
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link