RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
48
Около -109% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
23
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
17.0
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2938
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link