RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
48
Около -66% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.8
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
29
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
22.8
Скорость записи, Гб/сек
5.9
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
3792
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link