RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
48
Около -66% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
29
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
19.0
Скорость записи, Гб/сек
5.9
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
3714
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link