RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
48
Wokół strony -66% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
29
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3714
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link