RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
48
Около -66% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.3
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
29
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
18.3
Скорость записи, Гб/сек
5.9
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
3442
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link