RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
48
Около -85% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.9
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.7
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
26
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
22.9
Скорость записи, Гб/сек
5.9
17.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
3962
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link