RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
48
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
42
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
15.9
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2885
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kllisre 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link