RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB против Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
10.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
52
Около -63% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.9
1,145.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
4200
Около 5.07 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
32
Скорость чтения, Гб/сек
2,614.5
10.5
Скорость записи, Гб/сек
1,145.9
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
21300
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
409
2386
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link