RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Confronto
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
10.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
52
Intorno -63% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
1,145.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
4200
Intorno 5.07 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
32
Velocità di lettura, GB/s
2,614.5
10.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,145.9
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
21300
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
409
2386
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link