Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 48

Около -45% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.8 8.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.0 5.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

48 33
Скорость чтения, Гб/сек

8.9 13.8
Скорость записи, Гб/сек

5.9 9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1420 2553

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB

Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB

Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB

Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB

A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB

модули RAM

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Panram International Corporation M424051 4GB

Panram International Corporation M424051 4GB

модули RAM

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

модули RAM

Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB

Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB

V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB

модули RAM