RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
48
En -45% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
33
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2553
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link