RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
48
Около -60% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
30
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
18.0
Скорость записи, Гб/сек
5.9
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
3373
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link