RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
48
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
40
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
16.0
Скорость записи, Гб/сек
5.9
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2965
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link