RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
10.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
46
Около -70% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
14.8
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2173
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link