RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2173
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link