RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
50
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
50
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2324
2326
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link