RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
48
Около -140% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.6
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
20
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
19.6
Скорость записи, Гб/сек
5.9
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
3234
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link