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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
48
左右 -140% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.6
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
20
读取速度,GB/s
8.9
19.6
写入速度,GB/s
5.9
15.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3234
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
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