RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
48
Около -118% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.3
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.3
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
22
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
19.3
Скорость записи, Гб/сек
5.9
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
3653
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link