RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Good Wealth Technology Ltd. 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
48
Около -129% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
21
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
18.1
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
3211
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link