RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
48
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
25
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
15.3
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2704
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link