RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
48
122
Около 61% меньшая задержка
Выше скорость записи
5.9
5.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
9.4
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
122
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
9.4
Скорость записи, Гб/сек
5.9
5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
1411
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link