RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
104
Около -271% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
19.9
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3732
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
A-DATA Technology AM1L16BC2P1-B1FS 2GB
Kingston ACR256X64D3S13C9G 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link