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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
104
左右 -271% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
28
读取速度,GB/s
3,192.0
19.9
写入速度,GB/s
2,404.5
14.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3732
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M391B1G73QH0-CK0 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
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