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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M391B1G73QH0-CK0 8GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Samsung M391B1G73QH0-CK0 8GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
Samsung M391B1G73QH0-CK0 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
36
左右 25% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M391B1G73QH0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M391B1G73QH0-CK0 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
27
36
读取速度,GB/s
13.2
14.3
写入速度,GB/s
8.6
9.2
内存带宽,mbps
10600
12800
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
2696
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
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Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
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Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
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