RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
48
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.5
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.4
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
12800
10600
Около 1.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
48
32
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
11.5
Скорость записи, Гб/сек
5.9
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
12800
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
1919
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link