RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
48
Около -118% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
22
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
17.3
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
3114
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link