RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
67
Около 39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.3
6.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
3.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
41
67
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
6.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
3.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
12800
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2016
1076
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link