RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Kingston 9965596-031.B00G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
48
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.9
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
31
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
10.9
Скорость записи, Гб/сек
5.9
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2444
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link