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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston 9965596-031.B00G 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
48
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.9
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.9
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
31
读取速度,GB/s
8.9
10.9
写入速度,GB/s
5.9
7.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2444
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
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