RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
48
Около -37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
35
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
15.3
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2815
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9P1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link