RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Kingston K6VDX7-HYD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
48
Около -60% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.5
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.2
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
30
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
13.5
Скорость записи, Гб/сек
5.9
7.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2154
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link